声明

本文是学习GB-T 12965-2018 硅单晶切割片和研磨片. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们

1 范围

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、

包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。

本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200
mm

的圆形硅单晶切割片和研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等，或进一步加工成抛光片。

2 规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法

GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法

GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)
检索的逐批检验抽样

计划

GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法

GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T 12962 硅单晶

GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X 射线测试方法

GB/T 14140 硅片直径测量方法

GB/T 14264 半导体材料术语

GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法

GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法

GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法

GB/T 32279 硅片订货单格式输入规范

GB/T 32280 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法

YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法

YS/T 28 硅片包装

3 术语和定义

GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。

GB/T 12965—2018

4 牌号及分类

4.1 牌号

硅片的牌号表示按 GB/T 14844 的规定进行。

4.2 分 类

4.2.1 硅片按导电类型分为 N 型 、P 型两种。

4.2.2 硅片按表面取向分为常用的{100}、{111}、{110}三种。

4.2.3 硅片按直径分为φ50.8 mm、φ76.2 mm、φ100 mm、φ125 mm、φ150 mm 和φ200
mm6 种 。 非 标准直径要求由供需双方协商确定。

5 要求

5.1 理化性能

硅片的掺杂剂、少数载流子寿命、氧含量、碳含量及晶体完整性应符合GB/T
12962 的规定。如有

需要，由供方提供各项检验结果。

5.2 电学性能

硅片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化应符合GB/T 12962 的规定。

5.3 几何参数

硅片的几何参数应符合表1的规定。表1未包含的几何参数或对表1中几何参数有其他要求时，

由供需双方协商确定。主参考面直径和切口尺寸如图1所示。

表 1 几何参数

项 目

要求

直径/mm

50.8

76.2

100

125

150

200

直径允许偏差/mm

±0.5

±0.5

±0.5

±0.5

±0.5

±0.2

切割片

厚度(中心点)/μm

≥260

≥220

≥240

≥320

≥400

≥600

厚度允许偏差/μm

±15

±15

±15

±15

±15

±15

总厚度变化/μm

≤10

≤10

≤10

≤10

≤10

≤10

弯曲度/μm

≤25

≤30

≤40

≤40

≤40

≤40

翘曲度/μm

≤25

≤30

≤40

≤40

≤40

≤40

研 磨 片

厚度(中心点)/μm

≥180

≥180

≥200

≥250

≥300

≥500

厚度允许偏差/μm

±10

±10

±10

±15

±15

±15

总厚度变化/μm

≤3

≤5

≤5

≤5

≤5

≤5

弯曲度/μm

≤25

≤30

≤40

≤40

≤40

≤40

翘曲度/μm

≤25

≤30

≤40

≤40

≤40

≤40

GB/T 12965—2018

表1(续)

项 目

要求

主参考面长度/mm

16.0±2.0

22.5±2.5

32.5±2.5

42.5±2.5

57.5±2.5

57.5±2.5

副参考面长度/mm

8.0±2.0

11.5±1.5

18.0±2.0

27.5±2.5

37.5±2.5

无

切口

深度/mm

1.00+0,25

角度/(°)

905

主参考面直径/mm

195.50±0.20

style="width:6.06662in;height:4.78676in" />

主参考而

a) 主参考面直径

style="width:8.62659in;height:6.25988in" />

b) 切口尺寸

注 ：图 1 b)
以虚线表示销子，用来对准夹具中有切口晶片；在测量切口尺寸和尺寸允许偏差时，该销子还用作有切

口晶片的基准。假定该对准销子直径为3 mm。

图 1 主参考面直径和切口尺寸

style="width:4.25335in;height:3.62648in" />GB/T 12965—2018

5.4 表面取向及其偏离度

5.4.1 硅片的表面取向有{100}、{110}、{111},常用的为{100}、{111}。

5.4.2 硅片表面取向的偏离度为：

a) 正晶向：0°±0.5°;

b)
偏晶向：对{111}硅片，有主参考面的，硅片表面法线沿平行主参考面的平面向最邻近的\<110>
方向偏2.5°±0.5°或4.0°±0.5°。有切口的，硅片表面法线沿垂直于切口基准轴的平面向最邻
近的\<110>方向偏2.5°±0.5°或4.0°±0.5°。

5.4.3 未包含的其他晶向要求，由供需双方协商确定。

5.5 基准标记

5.5.1 直径不大于150 mm
硅片的参考面取向及位置应符合表2的规定，如图2所示。硅片是否制作

副参考面由供需双方协商确定。

表 2 主、副参考面取向及位置

导电类型

表面取向

主参考面取向"

副参考面

P

{100}

{110}±1°

与主参考面成90°±5°

N

{100}

{110}±1°

与主参考面成：

180°±5(直径不大于125 mm);

135°±5(直径150 mm)

P

{111}

{110}±1°

无

N

{111}

{110}±1°

与主参考面成45°±5°

对于(100)晶面的硅片，可允许等效{110}的面是(Ol1)、(011)、(o11)和(oī1)晶面。对于(111)晶面的硅片，可

允许等效{110}的面是(1īo)、(olī)和(101)晶面。

style="width:5.65346in;height:3.52in" />正表面

180°

副参考面

a) P 型{100} b) N 型{100},直径不大于125 mm

图 2 直径不大于150 mm 硅片的主、副参考面位置

GB/T 12965—2018

style="width:5.25336in;height:3.79984in" />

c) N 型{100},直径150 mm

style="width:4.61349in;height:3.60668in" />

d) P 型{111}

style="width:4.25335in;height:3.91336in" />

e) N 型{111}

图 2 ( 续 )

5.5.2 直 径 2 0 0 mm
硅片的基准标记分为有参考面和有切口两种，均无副参考面，制作参考面还是切口
由供需双方协商确定。主参考面尺寸用主参考面长度或主参考面直径表示。主参考面和切口的位置应
符 合 表 3 的 规 定 。

表 3 主参考面和切口的位置

项 目

要求

主参考面取向

{110}°±1°

切口基准轴取向

{110}"±1°

对于(100)晶面的硅片，可允许等效{110}的面是(o11)、(011)、(oī1)和(oī1)晶面。对(111)晶面的硅片，可允

许等效{110}的面是(110)、(011)和(101)晶面。

5.6 边缘轮廓

硅片边缘圆周上的所有点(有切口时，切口内的点除外)应处于使用YS/T 26
测量模板的清晰区域

内，且硅片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物。特殊要求可由供需双方协商确定。

GB/T 12965—2018

5.7 表面质量

5.7.1
倒角的硅研磨片应无崩边。硅切割片和未倒角的硅研磨片边缘允许有崩边，崩边的径向延伸尺
寸应符合表4的规定，每片硅片上崩边总数应不多于3个，每批产品中有崩边的硅片数量应不超过总片

数的3%。

表 4 崩边尺寸

项 目

要求

直径/mm

50.8

76.2

100

125

150

200

崩边/mm

≤0.5

≤0.8

≤0.8

≤0.8

≤0.8

≤0.8

5.7.2 硅片不允许有裂纹、缺口。

5.7.3 硅片经清洗干燥后，表面应洁净、无色斑、无沾污。

5.7.4 硅切割片表面应有明显的切割线痕。

5.7.5 硅研磨片表面应无划伤、无线痕。

6 试验方法

6.1 导电类型的测试按GB/T 1550 的规定进行。

6.2 电阻率的测试按 GB/T 1551 中的直排四探针法或 GB/T 6616
的规定进行。仲裁时按照

GB/T 1551中的直排四探针法进行。

6.3 径向电阻率变化的测试按GB/T 11073 的规定进行。

6.4 直径的测量按GB/T 14140 的规定进行。

6.5 厚度和总厚度变化的测量按GB/T6618 或 GB/T29507
的规定进行，仲裁时按GB/T 29507 的规 定进行。

6.6 弯曲度的测量按 GB/T 6619 的规定进行。

6.7 翘曲度的测量按GB/T 6620 或 GB/T 32280 的规定进行，仲裁时按 GB/T
32280 的规定进行。

6.8 主、副参考面长度及主参考面直径的测量按 GB/T 13387 的规定进行。

6.9 切口尺寸的测量按GB/T 26067 的规定进行。

6.10 表面取向及其偏离度的测试按GB/T 1555 的规定进行。

6.11 主参考面取向和切口基准轴取向的测试按GB/T 13388 的规定进行。

6.12 副参考面位置的测试方法由供需双方协商。

6.13 边缘轮廓的检验按 YS/T 26 的规定进行。

6.14 表面质量的检验按GB/T6624 的规定进行，必要时使用相应精度的工具测量。

7 检验规则

7.1 检查和验收

7.1.1
产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准和订货单(或合同)的规
定，并填写产品质量证明书。

7.1.2
需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验。若检验结果与本标准或订货单(或合同)的规
定不符时，应在收到产品之日起3个月内向供方提出，由供需双方协商解决。

GB/T 12965—2018

7.2 组批

产品以成批的形式提交验收，每批应由同一牌号、相同规格的硅片组成。

7.3 检验项目

7.3.1
每批产品应对硅片的导电类型、电阻率、径向电阻率变化、直径、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲
度、参考面长度或主参考面直径、切口尺寸、表面取向及其偏离度、主参考面取向或切口基准轴取向、表
面质量进行检验。

7.3.2 副参考面位置、边缘轮廓是否检验由供需双方协商确定。

7.4 取样

每批产品的检验取样按GB/T 2828.1—2012
中一般检验水平Ⅱ,正常检验一次抽样方案进行，或

由供需双方协商确定的抽样方案进行。

7.5 检验结果的判定

7.5.1
导电类型、表面取向及其偏离度的检验结果中若有一片不合格，则判该批产品为不合格。其他

检验项目的接收质量限(AQL) 见表5。

表 5 接收质量限

序号

检验项目

接收质量限(AQL)

1

电阻率

1.0

2

径向电阻率变化

1.0

3

直径

1.0

4

厚度

1.0

5

总厚度变化

1.0

6

弯曲度

1.0

7

翘曲度

1.0

8

参考面长度(主参考面直径)或切口尺寸

2.5

9

主参考面取向或切口基准轴取向

1.0

10

副参考面位置

2.5

11

表面质量

崩边

1.0

裂纹、缺口

1.0

色斑

1.0

沾污

1.5

线痕

1.0

划伤

2.0

累计

2.5

7.5.2 边缘轮廓检验结果的判定由供需双方协商。

7.5.3
抽检不合格的产品，供方可对不合格项目进行逐片检验，除去不合格品后，合格品可以重新
组批。

GB/T 12965—2018

8 标志、包装、运输、贮存和质量证明书

8.1 标志

包装箱外侧应有"小心轻放""防潮""易碎"等标识，并标明：

a) 供方名称；

b) 产品名称、牌号；

c) 产品数量。

8.2 包装

硅片包装按 YS/T 28 的规定执行，或由供需双方协商确定。

8.3 运输

产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。

8.4 贮存

产品应贮存在清洁、干燥的环境中。

8.5 质量证明书

每批产品应有质量证明书，其上注明：

a) 供方名称；

b) 产品名称及牌号；

c) 产品批号；

d) 产品片数(盒数);

e) 各项分析检验结果和检验部门的印记；

f) 本标准编号；

g) 出厂日期。

9 订货单(或合同)内容

本标准所列产品的订货单(或合同)应符合GB/T 32279
的规定，或由供需双方协商确定。

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